検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年
検索結果: 3 件中 1件目~3件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

JT-60U用その場ボロン化処理装置により作製したボロン膜中の水素分析

西堂 雅博; 柳生 純一; 山本 春也; Goppelt-Langer, P.*; 青木 康; 竹下 英文; 楢本 洋

第4回TIARA研究発表会要旨集, 0, p.44 - 45, 1995/00

JT-60Uで実施した第4回その場ボロン化処理(ボロン・コーティング)で作製したボロン膜中の水素濃度分析を、高崎研・高機能材料第2研究室と共同で行った。分析法として、$$^{15}$$Nを用いた共鳴核反応法及び高エネルギー$$^{16}$$O及び$$^{58}$$Niを使用した反跳粒子検出法を採用した。前者の場合には、膜厚が厚いと深さ分布を得るためには時間がかかること、また、軽水素と重水素の分離測定は、困難であることが判明した。後者の場合には、膜厚が厚く(~1$$mu$$m)ても、深さ分布を得るのに短時間で良いこと、また、軽水素と重水素の分離測定が可能であること、さらには、30MeV$$^{58}$$Niを使用した場合には、母材元素であるボロンの反跳スペクトルを得ることができるため、水素の定量がボロン濃度を内部標準として使用できる利点のあることが判明した。

論文

Retention and thermal release of oxygen implanted in boron carbide

荻原 徳男; 神保 龍太郎*; 西堂 雅博; 道園 真一郎*; 斎藤 芳男*; 森 弘一*; 森田 健治*; 山華 雅司*; 菅井 秀郎*

Journal of Nuclear Materials, 220-222, p.748 - 751, 1995/00

 被引用回数:3 パーセンタイル:36.75(Materials Science, Multidisciplinary)

JT-60Uにおいては、デカボラン(B$$_{10}$$H$$_{14}$$)を用いたボロナイゼーションを実施している。そこで、これと同一の手法により黒鉛上に形成されたボロン膜を用いて、高エネルギー酸素イオンとの反応を調べた。結果は以下の通りである。(1)室温から600$$^{circ}$$CにおけるO$$_{2+}$$イオン照射においては、~2$$times$$10$$^{17}$$ O/cm$$^{2}$$のフルーエンスまでO$$_{2+}$$イオンはすべてボロン膜中に捕えられる。(2)室温で打ち込まれた酸素は、600$$^{circ}$$Cまではボロン膜から脱離しない。以上の結果は、JT-60Uにおいて、実施されているボロナイゼーションの酸素ゲッタリング作用を明らかに指示するものである。

論文

Thermal desorption spectroscopy of boron/carbon films after keV deuterium irradiation

山木 孝博*; 後藤 純孝*; 安東 俊郎; 神保 龍太郎*; 荻原 徳男; 西堂 雅博

Journal of Nuclear Materials, 217(1-2), p.154 - 160, 1994/11

 被引用回数:11 パーセンタイル:68.99(Materials Science, Multidisciplinary)

1keVの重水素ビームを照射した炭素/ボロン膜の昇温脱離ガス分析結果について報告する。B/C比が0$$sim$$74at.%の炭素/ボロン膜に、473Kにて4.5$$times$$10$$^{17}$$D/cm$$^{2}$$のフルエンスまで、3keVD$$_{3+}$$を照射した後、D$$_{2}$$及びCD$$_{4}$$の脱離特性を調べた。その結果、D$$_{2}$$ガスの脱離に関しては、炭素膜では1050K付近に脱離ピークが現れるのに対して、ボロン濃度3%の膜では850Kにピークが移り、さらにボロン濃度が60$$sim$$70%となるとより低温側に脱離ピークが移動する。またボロン濃度の増加とともにCD$$_{4}$$の脱離が減少することもわかった。これらの結果は、CVDによるB$$_{4}$$C被覆材やB$$_{4}$$C転化材料の脱離ガス特性とも一致した。炭素ボロン膜の場合、CD$$_{4}$$の脱離が炭素に比べて著しく小さくなるのは、D$$_{2}$$の脱離が低温側で生じるため、CD$$_{4}$$の脱離が顕著となるより高温の領域では、表面層に捕獲された重水素の濃度が低いためと考えられる。

3 件中 1件目~3件目を表示
  • 1